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型号：

IXTA80N10T7

RoHS：无铅 / 符合
制造商：IXYS描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTA80N10T7 PDF
标准包装 50
系列 TrenchMV™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3040pF @ 25V
功率 - 最大 230W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装 TO-263-7
包装 管件
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